Представиха 20nm флаш памет 16.04 | 13:34

Новата памет е с до 40% по-малък размер от предишната 25-нанометрова версия

От Георги Георгиев

Технологичните компании Intel и Micron Technology представиха нов 20-нанометров технологичен процес за производство на NAND флаш памети.

С него могат да бъдат произвеждани MLC (multi-level cell) флаш устройства с капацитет от 8 GB, се казва в прессъoбщение на компаниите.

Така технологията осигурява по-голям капацитет в малък формат за съхранение на информацията върху смартфони, таблети и SSD-дискове.

Чиповете, направени с новия 20nm процес, ще имат подобна производителност и издържливост като тези от предишното 25nm поколениe.

Площта на новата 8-гигабайтова памет е118 mm2, което води до намаляване използваното пространството с до 40% (в зависимост от вида на пакета), в сравнение с настоящите 25nm NAND устройства на компанията.

Така ще се осигури по-високо ниво на ефективност на системата, тъй като производителите на таблети и смартфони ще могат да използват допълнителното пространство например за поставянето по-голяма батерия, по-широк екран или за различни нови функционални компоненти.

Intel флаш-памет NAND

Водещи

Всичко от днес (35)

Най-четени