IBM представя нов графенов транзистор 12.04 | 12:16

В статия, публикувана в сп. Naturе, изследователи от IBM представиха нов графенов високочестотен транзистор, който е по-малък и бърз от предишния модел, представен през февруари 2010 г. Новото устройството е гранична честота от 155 гигахерца, което е доста повече в сравнение с предишния модел, достигащ от 100 GHz, пише PysOrg.com.

Графенът е вид наноматериал, направен от въглерод. Представлява лист дебелина от едва един атом, който има способността да провежда електрони с изключително високи скорости. В бъдеще той може спокойно да замени традиционния силиций като основен материал в транзисторите, коментират специалистите.

Досега новите графенови транзистори са били правени чрез поставянето на листовете графен върху изолираща материя от силициев диоксид. Оказало се обаче, че силициевият диоксид не е напълно подходящ за целта, тъй като снижава електронните свойства на графена.

Учените от IBM успели да справят са този проблем като върху повърхността на силициевата подложка поставили слой въглерод с диамантена структура. Иновацията повишила характеристиките на графеновия транзистор, който на всичкото отгоре показал и отлична стабилност при резките температурни промени и работел добре при изключително ниски температури - ценно качество, което ще му позволи прилагането един ден в открития Космос.

Новите високочестотни транзистори могат да намерят приложения на първо време в комуникационните технологии като мобилните телефони, интернет и радарните системи.

Друг голям плюс на новата технология е, че е съвместима със сега използваните при направата на силициевите транзистори, което ще позволи преминаването към графеновите им аналози по всяко време.